作為耐磨彎頭的一維材料越來越多地引起了人們的研究興趣。耐磨彎頭是人類科學技術的一個重大突破。一種材料能被應用于人類的生活實際,首先取決這種耐磨彎頭材料有足夠好的機械性能支持,所以對耐磨彎頭基本機械性能的研究也顯得尤為重要。隨著納米技術的迅猛發展,納米結構半導體光電子器件在微電子領域的地位越來越重要。

用原子力顯微鏡和高分辨X射線衍射、光致發光譜比較了生長在耐磨彎頭上的a面GaN和c面藍寶石上的c面GaN,a面GaN材料質量和c面GaN相差較大,在a面GaN上發現了耐磨彎頭的表面形貌,這和傳統的c面生長的極性GaN截然不同.對a面GaN的缺陷形成原因進行了討論,并且確定了三角坑缺陷的晶向.采用高溫高壓下固態復分解耐磨彎頭反應法生長氮化鎵。用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、激光拉曼光譜儀對其進行分析。

結果表明生成了六角纖鋅礦結構的氮化鎵晶體。該樣品在宏觀上受到了張應力的作用,退火后,宏觀的應變狀態由張應變向壓應變轉變;晶體微觀應力減小,晶粒尺寸變大,晶體質量變好。納米線合成和制備納米結構半導體的工作也大量地被開展,但是實驗室制備的納米結構半導體存在著不同形式的缺陷,這些缺陷在某種程度上影響著納米結構半導體的機械性能。